المستودع الأكاديمي جامعة المدينة

Ballistic transport in semiconductor quantum wires in the presence of defects

أعرض تسجيلة المادة بشكل مبسط

dc.creator Rocha A. R.
dc.creator Brum J. A.
dc.date 2002
dc.date.accessioned 2013-05-30T01:44:08Z
dc.date.available 2013-05-30T01:44:08Z
dc.date.issued 2013-05-30
dc.identifier http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0103-97332002000200012
dc.identifier http://www.doaj.org/doaj?func=openurl&genre=article&issn=01039733&date=2002&volume=32&issue=2a&spage=296
dc.identifier.uri http://koha.mediu.edu.my:8181/jspui/handle/123456789/3398
dc.description We present calculations of the conductance in semiconductor quasi-one-dimensional systems using the Landauer formalism. We consider the effects on the transport properties inside semiconductor quantum waveguides of different shapes when a defect is located either in the wire region or in the quasi-two-dimensional region. We observe changes on the plateau's threshold when the defect is placed inside the wire and lowering of the conductance plateaus themselves below the conductance quantum G0 =2e² /h when the defect is outside the wire.
dc.publisher Sociedade Brasileira de Física
dc.source Brazilian Journal of Physics
dc.title Ballistic transport in semiconductor quantum wires in the presence of defects


الملفات في هذه المادة

الملفات الحجم الصيغة عرض

لا توجد أي ملفات مرتبطة بهذه المادة.

هذه المادة تبدو في المجموعات التالية:

أعرض تسجيلة المادة بشكل مبسط