المستودع الأكاديمي جامعة المدينة

Temperature dependence of the absorption coefficient in doped quantum wells

أعرض تسجيلة المادة بشكل مبسط

dc.creator Baldan M.R.
dc.creator Serra R.M.
dc.creator Emmel P.D.
dc.creator Silva A. Ferreira da
dc.date 1999
dc.date.accessioned 2013-05-29T23:27:55Z
dc.date.available 2013-05-29T23:27:55Z
dc.date.issued 2013-05-30
dc.identifier http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0103-97331999000400021
dc.identifier http://www.doaj.org/doaj?func=openurl&genre=article&issn=01039733&date=1999&volume=29&issue=4&spage=723
dc.identifier.uri http://koha.mediu.edu.my:8181/jspui/handle/123456789/2753
dc.description In this work we present a calculation of the infrared optical absorption coefficient for a Ga1-xAl xAs quantum well (QW) as a function of donor impurity concentration, compensation and temperature. We treat this problem using a Self-Consistent Method (SC) calculation taking into account donors as major impurities. The Variational Method was used to obtain the ground state wave-function of an electron bound to a donor impurity in a QW. The results show a shift of energy in the absorption coefficient.
dc.publisher Sociedade Brasileira de Física
dc.source Brazilian Journal of Physics
dc.title Temperature dependence of the absorption coefficient in doped quantum wells


الملفات في هذه المادة

الملفات الحجم الصيغة عرض

لا توجد أي ملفات مرتبطة بهذه المادة.

هذه المادة تبدو في المجموعات التالية:

أعرض تسجيلة المادة بشكل مبسط