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Dependencia con el espesor de las propiedades ferroeléctricas de láminas con orientación preferente sobre substratos basados en silicio

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dc.creator Calzada, M. L.
dc.creator Pardo, Lorena
dc.creator Poyato, Rosalia
dc.date 2008-05-30T11:54:35Z
dc.date 2008-05-30T11:54:35Z
dc.date 2002-01
dc.date.accessioned 2017-01-31T01:31:18Z
dc.date.available 2017-01-31T01:31:18Z
dc.identifier Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 41(1): 36-39 (2002)
dc.identifier 0366-3175
dc.identifier http://hdl.handle.net/10261/4692
dc.identifier.uri http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4692
dc.description [ES] Se han preparado láminas de titanato de plomo modificado con lantano por una técnica sol-gel, sobre dos tipos de substratos: A: Ti/Pt/Ti/(100)Si, recocido a 650 ºC, y B: Pt/TiO2/(100)Si. Se han conseguido láminas con diferentes espesores mediante un proceso de sucesivo depósito y cristalización. El análisis por difracción de rayos X muestra dos tipos de orientación: <111>/<001>/<100> para las láminas sobre el substrato A, y <001>/<100> para las láminas sobre el substrato B. La caracterización ferroeléctrica de las láminas se ha realizado mediante el análisis de los ciclos de histéresis y las corrientes de conmutación ferroeléctrica, estudiándose el efecto del espesor y del tipo de orientación preferente sobre estas propiedades. Los valores más altos obtenidos de polarización remanente y polarización conmutable fueron respectivamente de Pr~35 μC/cm2 y Pc~23 μC/cm2.
dc.description [EN] Lanthanum modified lead titanate thin films have been prepared by sol-gel onto two types of substrates: A: Ti/Pt/Ti/(100)Si, annealed at 650 ºC, and B: Pt/TiO2/(100)Si. Films with different thicknesses have been obtained by a multiple deposition and crystalisation process. X-ray diffraction study shows two kind of preferred orientations: films onto A substrate have <111>/<001>/<100> orientations, and films onto B substrate have <001>/<100>. Ferroelectric characterisation of the films have been carried out by means of hysteresis loops and switching currents measurements. Thickness and preferred orientation effects on these properties have been analysed. The highest values of remanent and switchable polarisation were Pr~35 μC/cm2 y Pc~23 μC/cm2.
dc.description Este trabajo se ha financiado por los proyectos BRPR-CT98-0777 (MUVAST) de la UE y MAT98- 1068 de la CICYT.
dc.description Peer reviewed
dc.format 464464 bytes
dc.format application/pdf
dc.language spa
dc.publisher Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
dc.relation http://boletines.secv.es/es/index.php?id=42&vol=41
dc.rights openAccess
dc.subject Láminas delgadas
dc.subject Ferroeléctricos
dc.subject Pb, La TiO3
dc.subject Textura
dc.subject Polarización
dc.subject Thin films
dc.subject Ferroelectricidad
dc.subject Texture
dc.subject Polarization
dc.title Dependencia con el espesor de las propiedades ferroeléctricas de láminas con orientación preferente sobre substratos basados en silicio
dc.title Thickness dependence of the ferroelectric properties of crystallographically oriented thin films on silicon-based substrates
dc.type Artículo


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