| dc.creator |
Gómez-Aleixandre, C. |
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| dc.creator |
Albella, J. M. |
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| dc.creator |
Ojeda, F. |
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| dc.creator |
Martí, F. J. |
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| dc.date |
2008-05-30T07:13:57Z |
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| dc.date |
2008-05-30T07:13:57Z |
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| dc.date |
2003-01 |
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| dc.date.accessioned |
2017-01-31T01:30:41Z |
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| dc.date.available |
2017-01-31T01:30:41Z |
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| dc.identifier |
Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 42(1): 27-31 (2003) |
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| dc.identifier |
0366-3175 |
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| dc.identifier |
http://hdl.handle.net/10261/4666 |
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| dc.identifier.uri |
http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4666 |
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| dc.description |
[ES] Actualmente, la técnica de CVD está siendo utilizada en la síntesis de una gran variedad de compuestos cerámicos, generalmente
en forma de capa delgada. La técnica, desarrollada inicialmente para su aplicación en microelectrónica, ha sido
después utilizada con éxito en otras áreas de gran actividad científica y tecnológica (recubrimientos duros, dispositivos optoelectrónicos,
materiales superconductores, etc.). Entre las características más positivas de las técnicas de CVD, cabe destacar
la obtención de depósitos homogéneos a temperaturas relativamente bajas, sobre todo cuando la activación de los reactivos
se efectúa con plasma o con fotones. La técnica permite además sintetizar nuevos productos que no es posible sintetizar
por otras vías. Esta característica abre la puerta hacia la síntesis de productos, con propiedades muy específicas de dureza,
estabilidad, etc. La presentación se centrará en las diversas aplicaciones de la técnica de CVD, de las que interesa destacar la
preparación de capas de carbono cristalino o amorfo (películas de diamante o cuasi-diamante) partiendo de una mezcla de
metano e hidrógeno activada mediante un plasma. Así mismo, se revisará la obtención de recubrimientos de nitruro de boro
con diferente estequiometría dependiendo de las condiciones del proceso. Finalmente, se discuten los condiciones experimentales
requeridas para la deposición de nuevos compuestos ternarios dentro del sistema Si-B-C-N (p.e. CBN, SiBN). Estos
materiales ternarios pueden presentar propiedades muy diferentes dependiendo de su composición. Por tanto, mediante la
elección adecuada de los parámetros experimentales, que determinan la composición y estructura del depósito, es posible
conseguir la formación de un material con unas características prefijadas. |
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| dc.description |
[EN] Chemical vapour deposition (CVD) has been successfully used for the synthesis of a large variety of compounds. Initially
the technique was developed for microelectronic applications and then was widespread used for the preparation of hard
coatings, optoelectronic and superconductor materials. Among the characteristics inherent to the CVD technique it is worth
mentioning the preparation of homogeneous deposits at relatively low temperatures mostly when the reaction is electrically
or laser plasma or photon activated. New materials with given characteristics can be produced by properly choosing the
reactant gas mixture as well as its relative composition. The presentation will be also focussed onto the deposition of different
materials, such as carbon films (both crystalline, and amorphous) with diamond-like properties, deposited by plasma
assisted CVD techniques using methane and hydrogen gas mixtures. Also, the deposition of binary compounds, as boron
nitride will be reviewed. Finally, the experimental requirements for obtaining new ternary compounds from the system
Si-B-N-C (i.e.: CBN, SiBN) will be discussed. The properties of these materials strongly depend on their composition and
structure. Therefore, by adequate selection of the experimental parameters, it is possible to obtain ternary compounds with
tailored characteristics. |
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| dc.description |
Los autores quieren agradecer la ayuda prestada por
la CICYT y Fondos Feder (Proyecto 2FD1997-1574-C02-
02(MAT)) para el desarrollo de este trabajo |
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| dc.description |
Peer reviewed |
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| dc.format |
207317 bytes |
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| dc.format |
application/pdf |
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| dc.language |
spa |
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| dc.publisher |
Sociedad Española de Cerámica y Vidrio |
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| dc.relation |
http://boletines.secv.es/es/index.php?id=36&vol=42 |
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| dc.rights |
openAccess |
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| dc.subject |
Síntesis materiales |
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| dc.subject |
CVD |
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| dc.subject |
Materiales cerámicos |
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| dc.subject |
Diamante |
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| dc.subject |
Nitruro boro |
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| dc.subject |
Synthesis |
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| dc.subject |
Ceramic materials |
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| dc.subject |
Diamond |
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| dc.subject |
Boron nitride |
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| dc.title |
Síntesis de materiales cerámicos mediante técnicas químicas en fase vapor (CVD) |
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| dc.title |
Chemical vapour deposition (CVD) synthesis of ceramic materials |
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| dc.type |
Artículo |
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