| dc.creator |
Gómez-Aleixandre, C. |
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| dc.creator |
Albella, J. M. |
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| dc.creator |
Gago, R. |
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| dc.creator |
Camero, Manuel |
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| dc.date |
2008-05-27T07:19:58Z |
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| dc.date |
2008-05-27T07:19:58Z |
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| dc.date |
2004-03 |
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| dc.date.accessioned |
2017-01-31T01:27:51Z |
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| dc.date.available |
2017-01-31T01:27:51Z |
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| dc.identifier |
Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 43(2): 491-493 (2004) |
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| dc.identifier |
0366-3175 |
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| dc.identifier |
http://hdl.handle.net/10261/4535 |
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| dc.identifier.uri |
http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4535 |
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| dc.description |
[ES] Se ha estudiado el efecto del argon durante el proceso de CVD asistido por un plasma ECR para la síntesis de películas de nitruro de
carbono (CNxHy) a partir de mezclas gaseosas Ar/CH4/N2 con diferente contenido de metano. Las películas depositadas han sido analizadas
mediante espectroscopía infrarroja (IRS) y ERDA (Elastic Recoil Detection Analysis), y el análisis del plasma ha sido realizado utilizando la
técnica de espectroscopía de emisión óptica (OES). La velocidad de deposición y la composición de las películas depositadas se encuentran
determinadas por la concentración de argon en la mezcla gaseosa. Se propone un modelo, según el cual el argon juega un papel fundamental
como activador de las moléculas de metano. El modelo propuesto incluye dos procesos simultáneos durante el crecimiento de las capas : i)
formación de la capa y ii) ataque de la superficie de crecimiento. Según la composición de la mezcla gaseosa se favorece uno u otro proceso,
lo que conduce a velocidades de deposición diferentes así como a depósitos con diferente composición y estructura atómica. |
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| dc.description |
[EN] Carbon nitride films have been deposited by ECR-CVD, from Ar/CH4/N2 gas mixtures with different methane concentrations. Infrared
Spectroscopy (IRS) and Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) have been used for films characterisation and Optical Emission
Spectroscopy (OES) for plasma analysis. Argon concentration in the gas mixture controls the growth rate as well as the composition of the
film. In the proposed model, argon plays a key role in the activation of methane molecules. Also, during the growth of the film, two processes
may be considered: i) Film formation and ii) Etching of the growing surface. Changing the gas mixture composition affects both processes,
which results in films with different composition and structure as well as different deposition rates. |
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| dc.description |
Los autores agradecen a la Comunidad de Madrid (Proyecto 07N/0027/2001) y a la Comunidad Económica Europea (Proyecto 2FD97-1574-C02-02 (MAT)) la ayuda recibida para la financiación de este trabajo. Así mismo, quieren agradecer al Dr. U. Kreissig su ayuda en la caracterización por ERDA de las muestras estudiadas. Uno de los autores (M.C.) agradece al CSIC (Beca I3P-BPD2001-1) la ayuda recibida. |
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| dc.description |
Peer reviewed |
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| dc.format |
387659 bytes |
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| dc.format |
application/pdf |
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| dc.language |
spa |
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| dc.publisher |
Sociedad Española de Cerámica y Vidrio |
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| dc.relation |
http://boletines.secv.es/es/index.php?id=18&vol=43 |
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| dc.rights |
openAccess |
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| dc.subject |
Películas delgadas |
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| dc.subject |
Nitruro de carbono hidrogenado |
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| dc.subject |
Argón |
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| dc.subject |
ECR-CVD |
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| dc.subject |
Thin films |
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| dc.subject |
Hydrogenated carbon nitride |
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| dc.subject |
Argon |
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| dc.title |
Efecto del argon en películas CNxHy depositadas mediante ECR-CVD |
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| dc.title |
Effect of argon on the deposition of ECR-CVD hydrogenated carbon nitride films |
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| dc.type |
Artículo |
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