المستودع الأكاديمي جامعة المدينة

Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura

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dc.creator González Sagardoy, María Ujué
dc.creator González Díez, Yolanda
dc.creator González Sotos, Luisa
dc.creator Herrera, Miriam
dc.creator González, David
dc.date 2008-05-23T11:37:49Z
dc.date 2008-05-23T11:37:49Z
dc.date 2004-03
dc.date.accessioned 2017-01-31T01:27:07Z
dc.date.available 2017-01-31T01:27:07Z
dc.identifier Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 43(2): 376-378 (2004)
dc.identifier 0366-3175
dc.identifier http://hdl.handle.net/10261/4501
dc.identifier.uri http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4501
dc.description [ES] En este trabajo se han estudiado capas simples de InGaAs/GaAs(001) crecidas a 200ºC y 500ºC por Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y Difracción de Rayos X de Doble Cristal (DCXRD). Los resultados obtenidos muestran que el crecimiento a baja temperatura inhibe el proceso de relajación plástica, apareciendo las dislocaciones de desajuste (DD) durante el ciclo térmico posterior al crecimiento. El grado de relajación plástica final alcanzado en las muestras recocidas es inferior respecto de las crecidas a alta temperatura, debido a la existencia de una sola superficie donde nuclear dichas dislocaciones. Además, se ha observado que la modulación de composición también dificulta la relajación plástica, ya que introduce puntos de tensión en el seno del material que obstaculizan el movimiento de las dislocaciones, tanto en estructuras crecidas a alta como a baja temperatura.
dc.description [EN] Low and high temperature grown InGaAs/GaAs(001) epilayers have been studied by Transmission Electron Microscopy and Double Crystal X Ray Diffraction. Our results show that low temperature growth inhibits plastic relaxation, and misfit dislocations only appearing in the subsequent thermal annealing. The final plastic relaxation degree reached in this way is lower than in high temperature growth, due to the availability of a single surface where misfit dislocations could nucleate. In addition, we have observed that composition modulation even delays plastic relaxation flow, since it introduces tension points that block the dislocation movement, causing the strain-hardening of the alloy
dc.description El presente trabajo está subvencionado por los proyectos de investigación MAT2000-1625, MAT2001-3362 y por la Junta de Andalucía (PAI TEP-0120).
dc.description Peer reviewed
dc.format 256495 bytes
dc.format application/pdf
dc.language spa
dc.publisher Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
dc.relation http://boletines.secv.es/es/index.php?id=18&vol=43
dc.rights openAccess
dc.subject Inhibición de la relajación
dc.subject Crecimiento a baja temperatura
dc.subject Modulación de composición
dc.subject InGaAs/GaAs(001)
dc.subject TEM
dc.subject Relaxation inhibition
dc.subject Low temperature growth
dc.subject Composition modulation
dc.title Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura
dc.title Plastic relaxation inhibition in low temperature growth of InGaAs/GaAs(001) heterostructures
dc.type Artículo


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