[ES] En este trabajo se han estudiado capas simples de InGaAs/GaAs(001) crecidas a 200ºC y 500ºC por Microscopía Electrónica de Transmisión
(TEM) y Difracción de Rayos X de Doble Cristal (DCXRD). Los resultados obtenidos muestran que el crecimiento a baja temperatura inhibe
el proceso de relajación plástica, apareciendo las dislocaciones de desajuste (DD) durante el ciclo térmico posterior al crecimiento. El grado
de relajación plástica final alcanzado en las muestras recocidas es inferior respecto de las crecidas a alta temperatura, debido a la existencia
de una sola superficie donde nuclear dichas dislocaciones. Además, se ha observado que la modulación de composición también dificulta la
relajación plástica, ya que introduce puntos de tensión en el seno del material que obstaculizan el movimiento de las dislocaciones, tanto en
estructuras crecidas a alta como a baja temperatura.
[EN] Low and high temperature grown InGaAs/GaAs(001) epilayers have been studied by Transmission Electron Microscopy and Double Crystal
X Ray Diffraction. Our results show that low temperature growth inhibits plastic relaxation, and misfit dislocations only appearing in the
subsequent thermal annealing. The final plastic relaxation degree reached in this way is lower than in high temperature growth, due to the
availability of a single surface where misfit dislocations could nucleate. In addition, we have observed that composition modulation even delays
plastic relaxation flow, since it introduces tension points that block the dislocation movement, causing the strain-hardening of the alloy
El presente trabajo está subvencionado por los proyectos de investigación MAT2000-1625, MAT2001-3362 y por la Junta de Andalucía (PAI TEP-0120).
Peer reviewed